很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
关键字：
第三代半导体 SiC GaN 硅基芯片 202603
全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 赋能反激电源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化镓（GaN） 技术，升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛，最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W，可用
关键字：
AI数据中心 GaN Power Integrations 德州仪器 IsoShield 英飞凌 瑞萨
据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着三星在功率半导体领域迈出重要一步。 三星方面对GaN晶圆代工产线的具体启动时间和客户进展保持谨慎态度，仅回应称“无法确认”。不过，据业界透露，三星自宣布进军功率半导体代工市场以来，已历时3年，近期完成了量产技术与客户布局。尽管初期客户数量有限，市场预估GaN晶圆代工年营收规模可能
关键字：
三星 第三类半导体 8寸 GaN
法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
关键字：
硅基氮化镓 GaN-on-Si HEMT 5G毫米波 SOITEC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
关键字：
罗姆 GaN 功率器件 供应能力
● 至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%● 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构● GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。英
关键字：
英飞凌 GaN 氮化镓高速增长
在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率（CAGR）高达44%。在此高速扩张背景下，领先晶圆代工厂的战略调整正在重塑GaN产业链格局。尽管台积电（TSMC）正逐步退出GaN代工服务，但已通过技术授权协议，将其深厚的技术积累转移给合作伙伴——世界先进（VIS）与格芯（GlobalFoundries, GF）。此举不仅推动产
关键字：
台积电 格芯 GaN
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、 配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森
关键字：
安森美 GaN 功率器件
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。
关键字：
开关模式电源 氮化镓 GaN ADI
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
关键字：
TOLL GaN 太阳能系统 GaN 德州仪器
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
关键字：
TI TOLL GaN
● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用英飞凌300mm GaN技术美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中
关键字：
美国国际贸易委员会 英飞凌 英诺赛科 专利侵权案 GaN
意法半导体发布了新的智能电源组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。意法半导体应用专用产品部门总经理多梅尼科·阿里戈表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应用中的宽带隙效率提升。”“这些新设
关键字：
ST 运动控制 GaN 集成电路平台
意法半导体发布了新的智能电力组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓（氮化镓）技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。 意法半导体应用专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应
关键字：
意法半导体 GaN ICs 运动控制
全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方
关键字：
Allegro 英诺赛科 GaN AI数据中心电源 数据中心电源
gan介绍
您好，目前还没有人创建词条 gan!
欢迎您创建该词条，阐述对 gan的理解，并与今后在此搜索 gan的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473